1.在計(jì)算機(jī)屏蔽機(jī)房中，如何計(jì)算屏蔽電磁波的衰減？

　　對于屏蔽體表面來說，其反射衰減不僅與屏蔽材料的表面阻抗有關(guān)，而且還與波阻抗和屏蔽體與輻射源之間的距離有關(guān)，而波阻抗，又與輻射源的類型有關(guān)，因此，可以得到以下的計(jì)算公式，為：

　　對于低阻抗源，也就是磁場源來說，

　　R=20log10{[1.173(ur/fqr)/D]0.0535D(fqr/ur)?0.354}db；

　　其中：D為點(diǎn)源與屏蔽體之間的距離，單位為cm。

　　對于平面波輻射源來說，

　　R=168-10log10(fur/qr)db；

　　對于高阻抗源，也就是電場源來說，

　　R=362-20log10[(urf3/qr)?D]db。

　　但在實(shí)際中，反射衰減和吸收衰減不可能完全衰減完，因此還會有剩余的能量，它會形成內(nèi)部反射，也叫內(nèi)部衰減，通常是用A來表示，一般是大于15db，可以不考慮。但是，如果屏蔽材料比較薄，且A值比較小時，就需要考慮了，其公式為：

　　B=20log10|1-W-A/10(COSO.23A-jsim0.23A)|db；

　　W=4(1-M2)2-2M2-J23/2M(1-M2)/[1(121/2M)2]2；

　　M=0.3015D(fqr/ur)1/2。

　　注意：對于低頻阻抗來說，這不適用。

　　2.一旦機(jī)房停電了，我們應(yīng)如何處理？

　　首先關(guān)閉各系統(tǒng)和設(shè)備，直接關(guān)閉網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和監(jiān)控設(shè)備，對數(shù)據(jù)進(jìn)行導(dǎo)出備份處理，等到供電恢復(fù)后，開啟各設(shè)備。